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供应IR品牌场效应管，型号IRF9Z24NPBF场效应管，TO-220封装IRF9Z24NPBF深圳原装现货

型号IRF9Z24NPBF场效应管产品信息
 场效应管 MOSFET P TO-220 -55V -12A
 晶体管极性: P沟道
 电流, Id 连续: 12A
 漏源电压, Vds: 55V
 在电阻RDS（上）: 172mohm
 电压 @ Rds测量: -10V
 阈值电压 Vgs: -4V
 功耗 Pd: 45W
 Transistor Case Style: TO-220AB
 针脚数: 3
 工作温度最高值: 175°C
 MSL: -
 SVHC(高度关注物质): No SVHC (16-Dec-2013)
 工作温度最小值: -55°C
 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
 引脚节距: 2.54mm
 晶体管数: 1
 温度 @ 电流测量: 25°C
 满功率温度: 25°C
 漏极电流, Id 最大值: -12A
 热阻, 结点至外壳A: 3.3°C/W
 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
 电压, Vds: 55V
 电压, Vds 典型值: -55V
 电压, Vgs 最高: -4V
 电流, Idm 脉冲: 48A
 表面安装器件: 通孔
 针脚格式: 1 g
 2 d/tab
 3 s
 针脚配置: a

型号IRF9Z24NPBF场效应管工作原理
用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很
场效应管大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

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