深圳市腾桩电子有限公司

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供应STQ1HNK60R-AP原装ST品牌
供应STQ1HNK60R-AP原装ST品牌
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供应STQ1HNK60R-AP原装ST品牌

型号/规格:

STQ1HNK60R-AP

品牌/商标:

ST

封装:

TO-92-3

批号:

21+

数量:

42101

产品信息


型号:STQ1HNK60R-AP

公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则,将产品质量和客户利益放在首位,腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装,对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务,降低客户成本是我们的追求。


型号:STQ1HNK60R-AP

深圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS,ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件、电源管理芯片、接口及通信器件以及各类二三极管(MOS管、肖特基、稳压管等),涉及通讯设备、汽车仪器、航空仪表、消费电子等领域! 并能支持工厂BOM配单提供一站式采购服务
公司始终坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则,将产品质量和客户利益放在位,腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装,对货物所涉及的各个环节严格把关。保证货物质量是我们的首要任务,降低客户成本是我们的永远追求。
我司拥有多年的厂家配套经验,承接各类客户生产需求的采购货单配套,诚实守信,欢迎来电咨询!我们都以100%的热情为您真诚服务。

型号:STQ1HNK60R-AP

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.25 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
封装: Ammo Pack
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 25 ns
高度: 4.95 mm
长度: 4.95 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
系列: STQ1HNK60R
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
宽度: 3.94 mm
单位重量: 453.600 mg

型号:STQ1HNK60R-AP