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深圳市腾桩电子有限公司
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产品信息
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 28A
- 漏源电压, Vds: 100V
- 在电阻RDS（上）: 77mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压 Vgs: 4V
- 功耗 Pd: 150W
- Transistor Case Style: TO-220AB
- 针脚数: 3
- 工作温度值: 175°C
- MSL: -
- 工作温度值: -55°C
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 漏极电流, Id 值: 28A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 20V
- 电压, Vds 典型值: 100V
- 电压, Vgs : 20V
- 表面安装器件: 通孔
- RoHS协从产品: 是
- 重量（公斤）: 0.0013
-
原产地: MX Mexico
近制造加工所发生的国家