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场效应管 MOSFET N TO-247AC 500V 20A

晶体管极性: N沟道

电流, Id 连续: 20A

漏源电压, Vds: 500V

在电阻RDS（上）: 270mohm

电压 @ Rds测量: 10V

阈值电压 Vgs: 4V

功耗 Pd: 280W

Transistor Case Style: TO-247AC

针脚数: 3

工作温度值: 150°C

MSL: -

工作温度值: -55°C

工作温度范围: -55°C 至 +150°C

引脚节距: 5.45mm

晶体管数: 1

温度 @ 电流测量: 25°C

满功率温度: 25°C

热阻, 结点至外壳A: 0.45°C/W

电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V

电压, Vds 典型值: 500V

电压, Vgs : 20V

电流, Idm 脉冲: 80A

表面安装器件: 通孔

MOS管的工作原理：

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
　　在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通