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深圳市腾桩电子有限公司
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产品信息
产品信息
- 场效应管 MOSFET N TOV 9.5A
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 9.3A
- 漏源电压, Vds: 200V
- 在电阻RDS(上): 300mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压 Vgs: 4V
- 功耗 Pd: 82W
- 晶体管封装类型: TO-220AB
- 针脚数: 3
- 工作温度值: 175°C
- MSL: -
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (16-Jun-2014)
- 工作温度值: -55°C
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 漏极电流, Id 值: 9.3A
- 热阻, 结点至外壳A: 1.83°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 200V
- 电压, Vgs : 4V
- 电流, Idm 脉冲: 37A
- 表面安装器件: 通孔
- 阈值电压, Vgs th : 4V